窒化ガリウム半導体デバイス市場調査レポート-最新動向、成長機会、市場規模・シェア世界予測分析-2024年～2033年

窒化ガリウム半導体デバイス市場規模調査レポート – 概要

世界の窒化ガリウム半導体デバイス市場に関する調査レポートによると、この市場は2024年から2033年の間に22.9%のCAGR（年平均成長率）で成長し、2033年までに162億米ドルの市場規模に達すると予測されています。2024年の市場規模は28億米ドルと推定されています。

• スマートフォンやノートパソコンの利用が増加していることから、世界のガリレオ半導体デバイス市場は成長すると予測されています。
• 日本では、情報通信技術産業の成長が窒化ガリウム半導体デバイス市場の成長に寄与しています。
• KDMIアナリストの成長分析では、窒化ガリウム（GaN）バルクのコンプライアンスコストが高く、市場成長の障害になると予測しています。
• 窒化ガリウム半導体デバイス市場で最も高い市場シェアを持つ北米が、世界市場を支配すると予測。

窒化ガリウム半導体デバイス市場分析

窒化ガリウム(GaN)は、機械的に安定で非常に硬く、III/V族2元系ダイレクトバンドギャップ半導体であり、絶縁破壊強度が高く、熱伝導率が高く、スイッチング速度が速く、オン抵抗が低く、GaNを使用したパワーデバイスはシリコンを使用したデバイスを大幅に凌駕しています。遺伝子工学技術の進歩は、窒化ガリウム半導体デバイス市場の重要な成長ドライバーです。スマートフォンやノートパソコンの使用増加は、窒化ガリウム半導体デバイス市場の成長ドライバーです。大容量バッテリへの要求の高まりと急速充電への要求が、高出力、高効率、コンパクト設計の充電器への需要を押し上げています。GaNFastパワーICは、タブレット、ノートパソコン、スマートフォンなどのモバイル機器の超高速・急速充電における変革をリードしています。2022年現在、急速充電器の数は全世界で330000個増加し、需要の大部分は中国などの地域からのものです。Wolfspeed, Inc. Qorvo,Inc.、MACOM Technology and Solutions Holdings, Inc.は、世界的な急速充電器市場における重要なプレーヤーです。

日本におけるブロードバンドギャップ調査に対するアナリストの見解

広帯域ギャップ技術により、シリコンよりも高温・高電圧でも壊れることなく機能。広帯域ギャップ技術とは、シリコンよりも高温・高電圧でも壊れることなく機能させる技術で、マイクロ波帯の大電力高周波信号を効率よく増幅し、システムの到達距離を向上させる半導体材料です。ICT産業における需要の増加が、日本の窒化ガリウム半導体デバイス市場の成長を後押ししています。日本は、世界でも有数の情報通信技術を有し、この分野での実績もあります。日本は、ICTの進歩のための完全な能力を持っているため、いくつかの国のICT開発に多面的な支援を提供しています。ICTは経済成長にも大きな影響を与え、日本のGDP成長率への寄与率は40％に達しています。住友電気工業株式会社は、日本のICT市場において重要な役割を果たしています。

窒化ガリウム半導体デバイス市場 成長促進要因と市場抑制要因

成長ドライバー

ソーラー・インバータの使用の増加：

窒化ガリウム(GaN)半導体デバイスは、従来のシリコンと比較して、物理的なスペースとエネルギーを最小限に抑えながら、高度に強化された性能を提供できるため、ソーラー設計において重要な役割を果たしています。太陽光発電の利用拡大により、ソーラー・インバータの使用は急速に増加しています。2022年現在、太陽光発電は総合的な発電投資の約45%を占め、他のあらゆる化石燃料技術に対する投資の3倍となっています。太陽光発電は、前年に導入された新規の再生可能エネルギー発電設備容量の約2/3を占め、発電量の拡大率も最も高い。太陽光発電による発電量は2022年に過去最高の270 TWhを記録し、2021年比で26%増加。太陽光発電は世界の総発電量の4.5%を占め、風力・水力に次ぐ第3の再生可能エネルギー技術であり続けています。太陽光発電の利用拡大がソーラーインバータの市場を活性化し、最終的にナノ化ガリウム半導体デバイス市場を推進しています。

市場の阻害要因

- 窒化ガリウムバルクの高コスト：

シリコン基板が6インチ基板で25～50米ドルであるのに対し、GaNは2インチ基板で約1900米ドルと、かなり高価です。製造コストの高さは、バルクGaNの価格の高さにつながります。GaNの製造に利用されるハイドライド気相成長法やアンモノサーマル法は、シリコン基板よりも製造コストが高い。

窒化ガリウム半導体デバイス市場セグメンテーション

KD Market Insightsの専門家は、世界の窒化ガリウム半導体デバイス市場調査レポートを以下のようにセグメント分けしました：

窒化ガリウム半導体デバイス市場 地域の概要

北米は、航空宇宙および防衛産業からの支出の増加により、窒化ガリウム半導体デバイス市場を支配すると予想されます。GaN技術は、開発されたレーダーから通信システムまで、防衛機能の効率性と有効性を高める上で不可欠な役割を担っています。米国の防衛産業は、レーダーメカニズムやその他のアプリケーションの開発において、GaN半導体技術に大きく依存しています。GaN半導体は、その高周波数性能から、近々予定されている6Gワイヤレスおよび5Gインフラで利用されています。航空宇宙システムも電力変換に窒化ガリウム(GaN)を使用しており、拡大する米国の航空宇宙セクターは、窒化ガリウム半導体市場のもう一つの成長ドライバーです。2023年時点で、米国の航空宇宙・防衛セクターの売上高は約9,550億米ドルに達し、前年から7.1%増加しました。スマートホームデバイスの需要増加が、窒化ガリウム半導体デバイス市場を後押し。GaNは、より高い周波数、電圧、温度で機能するため、スマート家電への応用が進んでいます。スマートホームの統計によると、2024年時点で米国の6,990万世帯がスマートホームデバイスをダイナミックに使用すると予想されています。

アジア太平洋地域は、電気自動車の需要が高いため、窒化ガリウム（GaN）半導体デバイスの急成長市場になると予想されます。中国では、2023年の新規電気自動車登録台数は約810万台で、2022年から35%拡大。2024年、中国における電気自動車の市場シェアは、生産者間の競争力強化、自動車・バッテリー価格の下落、継続的な政策支援により45%に達しました。同様にインドでは、2024年時点で3輪車の約50％、2輪車の5％、自動車の2％が電気自動車です。インドの電気自動車市場は2030年までに最大のEV市場になる勢いであり、その後8～10年で投資が増加します。 2024年時点で、韓国で購入された電気自動車の総合台数は前年度の50万台を突破。GaN半導体デバイスは、再生可能エネルギー源の電力変換に役立ち、そのようなシステムの信頼性と効率を高めます。再生可能エネルギープロジェクトへの支出の増加と、炭素排出を最小限に抑えることへの注目は、GaN半導体デバイスの需要を促進します。 2019年から2024年の間に、中国は世界の再生可能エネルギー容量増加の約40%を記録し、抑制率の低下とシステム統合の強化に後押しされます。現在の投資パターンと政策では、中国のエネルギーミックスに占める現代の自然エネルギーの割合は2030年までに16%増加します。

地域会社名

• Qorvo, Inc.
• ウルフスピード
• マコムテクノロジーソリューションズホールディングス株式会社

窒化ガリウム半導体デバイス市場競争状況

世界の窒化ガリウム半導体デバイス市場シェアの上位を占める主要企業の一部をご紹介します：

• ウルフスピード
• Qorvo, Inc.
• マコムテクノロジーソリューションズホールディングス株式会社
• インフィニオンテクノロジーズAG
• 住友電気工業株式会社
• ナビタスセミコンダクター
• 三菱電機
• エピスター・コーポレーション
• クリー社
• トランスフォーム社